LED产业迎来中国标准 多家LED公司率先布局

中国制造要升级到中国创造，并走向国际市场，中国标准须先行。经过近十年潜心研发培育，LED产业终于迎来中国标准。

上证报最近获悉，2015年度国家科学技术奖拟于2016年1月份在人民大会堂举办颁奖典礼。据分析，备受瞩目的技术发明一等奖有望花落“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目（下称“硅衬底项目”）。硅衬底项目的主要参与人员孙钱昨日对上证报记者表示，从国家战略层面讲，硅衬底技术是我国拥有自主知识产权的技术路线，可以构建中国完全自主的LED产业。

与硅衬底技术并列LED三大技术路线的蓝宝石衬底技术曾获2014年诺贝尔物理学奖。有产业经济学家表示，在成本持续下降的背景下，硅衬底技术如若能获得资本大力追捧，LED产业格局有望被重塑。

有望获国家大奖“加持”。16日国务院常务会议通过2015年度国家科学技术奖评选结果，上证报根据此前的初评公示及历史经验判断，2015年国家技术发明一等奖有望被“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”夺取，因为这是本年度唯一一个入选该奖项初评一等奖的项目。

“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”由江西省申报，项目主要参与人员包括南昌大学的江风益教授、晶能光电（江西）有限公司的孙钱等人。

项目资料显示，该项目率先攻克硅基相关难题，所生产的硅衬底LED各项指标在同类研究中均处于国际领先地位，并与碳化硅、蓝宝石两条技术路线水平持平；并从衬底加工、外延生长、芯片制造、器件封装四大环节均发明了适合硅衬底高光效蓝光LED生产的关键核心技术，自成体系；该项技术已经申请或拥有国际国内专利232项，其中已授权发明专利127项，实现了外延芯片核心部件每一层都有专利保护。

据介绍，国家技术发明一等奖判定标准为：属国内外首创的重大技术发明或创新，技术经济指标达到了同类技术领先水平，且推动相关领域技术进步且已产生显著的经济或者社会效益。

“硅衬底技术确实应该获得这个大奖，他打破了日美国家在这个领域的技术垄断，这是国家大力支持科技发明的体现。”一位接近国务院高层的产业经济学家如此评价。

LED芯片衬底主要有三条技术路线：碳化硅衬底、蓝宝石衬底、硅衬底。其中，前者走的是“贵族路线”，成本高昂，其衬底及LED制备技术被美国公司垄断。蓝宝石衬底技术则主要掌握在日本公司手中，成本较低，这是目前市场上的主流路线；但蓝宝石晶圆散热较差，晶体垂直生长困难很难做到大尺寸、无法制作垂直结构的器件，衬底也较难剥离。而第三条路线就是中国自主发展起来的硅衬底技术，它弥补了前两大技术路线之不足。

“蓝宝石技术发明者曾获2014年诺贝尔物理学奖，从这个角度而言，硅衬底技术获得中国国家技术发明一等奖的可能性很大。”有LED产业人士如此表示。