DRAM存储器供不应求 价格连续七季上扬

近期DRAM存储器市场维持供不应求状况，价格持续上涨。全球DRAM价格连续七季上扬，是历来涨势最久的一次，且据韩国业者向中国台湾OEM大厂透露，这波涨势将持续至明年第二季度。

据海外媒体报道，全球DRAM制造龙头三星计划明年一季度价格调涨3%至5%，SK海力士也将调涨约5%。另有中国台湾OEM大厂从上游厂商处获悉，明年二季度价格恐将续涨5%以上，需要提前备货。四季度是传统DRAM市场旺季，在供不应求的情况下，价格出现上涨。其中标准型DRAM模组合约价较上季涨7%，4GBDDR4模组均价达30.5美元创下新高。

业界人士分析，由于苹果iPhoneX零组件拉货动能延续到明年初，加上三星、华为、OPPO等手机厂商将在明年初的MWC大会上推出新款手机，导致DRAM需求维持高位。另外，来自人工智能、云端服务器、物联网等需求齐发，DRAM市场需求大增。供给方面，主要芯片厂集中发展3D储存型闪存（NANDFlash），DRAM产能受到压缩，导致市场供需严重失衡，价格持续上涨。

此外，半导体市场高景气延续，有望支撑DRAM合约价持续走高。国际半导体产业协会（SEMI）最新预估，今年全球半导体设备市场可望达到559亿美元规模，将改写历史新高纪录，明年有望续创新高。其中，中国大陆市场明年有望增长达49.3%，将是成长最大的市场。

公司方面，紫光国芯子公司从事DRAM存储器芯片的设计，正在进行“高性能第四代DRAM存储器芯片产品”的研发；太极实业为SK海力士的DRAM产品提供后工序服务；深科技旗下的沛顿科技是领先的DRAM封测企业；华天科技作为武汉新芯的战略合作伙伴，有望受益于存储器基地配套需求。